Número do Produto do Fabricante:
RS1E200GNTB
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
RS1E200GNTB-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 20A (Ta), 57A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventário:
2460 Pcs Novo Original Em Estoque
13527276
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RS1E200GNTB Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
20A (Ta), 57A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1080 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-HSOP
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Número do produto base
RS1E
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
RS1E200GNTBDKR
RS1E200GNTBCT
RS1E200GNTBTR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
BSC042N03LSGATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
11717
NÚMERO DA PEÇA
BSC042N03LSGATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.35
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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