Número do Produto do Fabricante:
R6035KNZ1C9
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
R6035KNZ1C9-DG
Descrição:
MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 35A (Tc) 379W (Tc) Through Hole TO-247
Inventário:
13527278
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R6035KNZ1C9 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
102mOhm @ 18.1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3000 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
379W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
R6035
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
R6035KNZ1C9DKRINACTIVE
R6035KNZ1C9TR-ND
R6035KNZ1C9CT-ND
R6035KNZ1C9INACTIVE
R6035KNZ1C9CT
R6035KNZ1C9DKR-ND
R6035KNZ1C9TR
R6035KNZ1C9DKR
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STW33N60DM2
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
538
NÚMERO DA PEÇA
STW33N60DM2-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.59
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FABRICANTE
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
911
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PREÇO UNITÁRIO
13.25
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
25
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PREÇO UNITÁRIO
24.34
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
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PREÇO UNITÁRIO
11.94
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8.28
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