Número do Produto do Fabricante:
R8002ANJGTL
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
R8002ANJGTL-DG
Descrição:
NCH 800V 2A POWER MOSFET : R8002
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 2A (Tc) 62W (Tc) Surface Mount TO-263S
Inventário:
925 Pcs Novo Original Em Estoque
12976159
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ENVIAR
R8002ANJGTL Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.3Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
250 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
62W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263S
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
R8002
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
846-R8002ANJGTLDKR
846-R8002ANJGTLTR
846-R8002ANJGTLCT
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
R8002ANJFRGTL
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
930
NÚMERO DA PEÇA
R8002ANJFRGTL-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.05
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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