Número do Produto do Fabricante:
TK60S10N1L,LXHQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TK60S10N1L,LXHQ-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 60A (Ta) 180W (Tc) Surface Mount DPAK+
Inventário:
1997 Pcs Novo Original Em Estoque
12976169
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
TK60S10N1L,LXHQ Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVIII-H
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
60A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.11mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 500µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4320 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
180W (Tc)
Temperatura de operação
175°C
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
DPAK+
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
TK60S10
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
TK60S10N1L,LXHQ(O
264-TK60S10N1LLXHQDKR
264-TK60S10N1LLXHQTR
264-TK60S10N1LLXHQCT
Pacote padrão
2,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IXTP60N20X4
MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-220
EPC2207
TRANS GAN 200V DIE .022OHM
AON6570
MOSFET N-CH 5X6 DFN
