Número do Produto do Fabricante:
R6504END3TL1
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
R6504END3TL1-DG
Descrição:
650V 4A TO-252, LOW-NOISE POWER
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventário:
1500 Pcs Novo Original Em Estoque
12965651
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R6504END3TL1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.05Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 130µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
220 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
58W (Tc)
Temperatura de operação
150°C
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
R6504
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
846-R6504END3TL1CT
846-R6504END3TL1DKR
846-R6504END3TL1TR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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