Número do Produto do Fabricante:
TK2R4E08QM,S1X
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TK2R4E08QM,S1X-DG
Descrição:
UMOS10 TO-220AB 80V 2.4MOHM
Descrição Detalhada:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220
Inventário:
176 Pcs Novo Original Em Estoque
12965675
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TK2R4E08QM,S1X Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tube
Série
U-MOSX-H
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
80 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.44mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 2.2mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
178 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
13000 pF @ 40 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de operação
175°C
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220
Pacote / Estojo
TO-220-3
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
TK2R4E08QM,S1X(S
264-TK2R4E08QMS1X
264-TK2R4E08QM,S1X
264-TK2R4E08QM,S1X-DG
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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