Número do Produto do Fabricante:
EMB4T2R
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
EMB4T2R-DG
Descrição:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Descrição Detalhada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Inventário:
13522782
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EMB4T2R Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Conjuntos de Transistores Bipolares, Pré-Biasados
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
100mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50V
Resistor - Base (R1)
10kOhms
Resistor - Base do Emissor (R2)
-
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
-
Frequência - Transição
250MHz
Potência - Máx.
150mW
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
SOT-563, SOT-666
Pacote de dispositivos do fornecedor
EMT6
Número do produto base
EMB4T2
Folha de Dados & Documentos
Recursos de design
Folhas de dados
Documentos de confiabilidade
Informação Adicional
Outros nomes
EMB4T2RCT
EMB4T2RDKR
EMB4T2RTR
EMB4T2R-ND
Pacote padrão
8,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
RN2911FE(TE85L,F)
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
3975
NÚMERO DA PEÇA
RN2911FE(TE85L,F)-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.04
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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Certificação DIGI
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