Número do Produto do Fabricante:
EMA11T2R
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
EMA11T2R-DG
Descrição:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5
Descrição Detalhada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
Inventário:
13522808
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EMA11T2R Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Conjuntos de Transistores Bipolares, Pré-Biasados
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Not For New Designs
Tipo de transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
100mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50V
Resistor - Base (R1)
4.7kOhms
Resistor - Base do Emissor (R2)
47kOhms
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
500nA
Frequência - Transição
250MHz
Potência - Máx.
150mW
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Pacote de dispositivos do fornecedor
EMT5
Número do produto base
EMA11
Informação Adicional
Pacote padrão
8,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
RN2706JE(TE85L,F)
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
3000
NÚMERO DA PEÇA
RN2706JE(TE85L,F)-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.05
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
NÚMERO DA PEÇA
RN2906,LF
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
5268
NÚMERO DA PEÇA
RN2906,LF-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.03
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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Certificação DIGI
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