Número do Produto do Fabricante:
BSM600D12P4G103
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
BSM600D12P4G103-DG
Descrição:
SIC 2N-CH 1200V 567A MODULE
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 567A (Tc) 1.78kW (Tc) Chassis Mount Module
Inventário:
4 Pcs Novo Original Em Estoque
13001987
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ENVIAR
BSM600D12P4G103 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Box
Série
-
Status do produto
Active
Tecnologia
Silicon Carbide (SiC)
Configuração
2 N-Channel
Recurso FET
Standard
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
567A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (máx) @ id
4.8V @ 291.2mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
59000pF @ 10V
Potência - Máx.
1.78kW (Tc)
Temperatura de operação
175°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote / Estojo
Module
Pacote de dispositivos do fornecedor
Module
Número do produto base
BSM600
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
846-BSM600D12P4G103
Pacote padrão
4
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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