Número do Produto do Fabricante:
G2K3N10L6
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
G2K3N10L6-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 100V 3A SOT23-6L
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 100V 3A (Tc) 1.67W (Tc) Surface Mount SOT-23-6L
Inventário:
4355 Pcs Novo Original Em Estoque
13002017
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G2K3N10L6 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Standard
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
220mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
4.8nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
536pF @ 50V
Potência - Máx.
1.67W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
SOT-23-6
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-23-6L
Número do produto base
G2K3N
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
3141-G2K3N10L6CT
3141-G2K3N10L6TR
4822-G2K3N10L6TR
3141-G2K3N10L6DKR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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