Número do Produto do Fabricante:
NP89N055NUK-S18-AY
Product Overview
Fabricante:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
NP89N055NUK-S18-AY-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 55V 90A TO262
Descrição Detalhada:
N-Channel 55 V 90A (Tc) 1.8W (Ta), 147W (Tc) Through Hole TO-262
Inventário:
12855354
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NP89N055NUK-S18-AY Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
55 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.4mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
102 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6000 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.8W (Ta), 147W (Tc)
Temperatura de operação
175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-262
Pacote / Estojo
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Número do produto base
NP89N055
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPI040N06N3GXKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
500
NÚMERO DA PEÇA
IPI040N06N3GXKSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.83
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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