Número do Produto do Fabricante:
IPI040N06N3GXKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPI040N06N3GXKSA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventário:
500 Pcs Novo Original Em Estoque
12823039
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IPI040N06N3GXKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 90µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11000 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
188W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO262-3
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número do produto base
IPI040
Informação Adicional
Outros nomes
INFINFIPI040N06N3GXKSA1
2156-IPI040N06N3GXKSA1
SP000680656
Pacote padrão
500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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