2SK3483-AZ
Número do Produto do Fabricante:

2SK3483-AZ

Product Overview

Fabricante:

Renesas Electronics Corporation

DiGi Electronics Número da Peça:

2SK3483-AZ-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 100V 28A TO251
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 28A (Ta) 1W (Ta), 40W (Tc) Through Hole TO-251

Inventário:

12858276
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2SK3483-AZ Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
28A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
-
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2300 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-251
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Pacote padrão
1

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
IRFU3410PBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
3321
NÚMERO DA PEÇA
IRFU3410PBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.38
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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