Número do Produto do Fabricante:
IRFU3410PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRFU3410PBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 31A IPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 31A (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Inventário:
3321 Pcs Novo Original Em Estoque
12818752
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IRFU3410PBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
HEXFET®
Status do produto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
39mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1690 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3W (Ta), 110W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
IPAK (TO-251AA)
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número do produto base
IRFU3410
Folha de Dados & Documentos
Recursos de design
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
2156-IRFU3410PBF
INFINFIRFU3410PBF
SP001578398
*IRFU3410PBF
Pacote padrão
75
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
NTD6414ANT4G
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
794
NÚMERO DA PEÇA
NTD6414ANT4G-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.66
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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