Número do Produto do Fabricante:
2SK1835-E
Product Overview
Fabricante:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
2SK1835-E-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 1500V 4A TO3P
Descrição Detalhada:
N-Channel 1500 V 4A (Ta) 125W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventário:
18610 Pcs Novo Original Em Estoque
12858192
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2SK1835-E Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1500 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7Ohm @ 2A, 15V
vgs(th) (máx) @ id
-
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1700 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3P
Pacote / Estojo
TO-3P-3, SC-65-3
Número do produto base
2SK1835
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
-1161-2SK1835-E
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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