Número do Produto do Fabricante:
RFD4N06LSM9A
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
RFD4N06LSM9A-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 4A TO252AA
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 4A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventário:
12858200
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RFD4N06LSM9A Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 1A, 5V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±10V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
30W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252AA
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
RFD4N
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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