NVMYS9D3N06CLTWG
Número do Produto do Fabricante:

NVMYS9D3N06CLTWG

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

NVMYS9D3N06CLTWG-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 14A (Ta), 50A (Tc) 3.6W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)

Inventário:

13001063
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NVMYS9D3N06CLTWG Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
14A (Ta), 50A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.2mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 35µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
880 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.6W (Ta), 46W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
LFPAK4 (5x6)
Pacote / Estojo
SOT-1023, 4-LFPAK
Número do produto base
NVMYS9D3

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
488-NVMYS9D3N06CLTWGTR
Pacote padrão
1

Classificação Ambiental e de Exportação

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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