Número do Produto do Fabricante:
NVD5117PLT4G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
NVD5117PLT4G-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
Descrição Detalhada:
P-Channel 60 V 11A (Ta), 61A (Tc) 4.1W (Ta), 118W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventário:
12843051
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NVD5117PLT4G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
11A (Ta), 61A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4800 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
4.1W (Ta), 118W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
DPAK
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
NVD511
Informação Adicional
Outros nomes
NVD5117PLT4GOSCT
NVD5117PLT4GOSDKR
ONSONSNVD5117PLT4G
2156-NVD5117PLT4G-OS
NVD5117PLT4GOSTR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2000
NÚMERO DA PEÇA
TJ50S06M3L(T6L1,NQ-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.74
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
SUD50P06-15L-E3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
38575
NÚMERO DA PEÇA
SUD50P06-15L-E3-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.02
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
NVD5117PLT4G-VF01
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
NVD5117PLT4G-VF01-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.14
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
Certificação DIGI
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