Número do Produto do Fabricante:
NDD60N550U1-1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
NDD60N550U1-1G-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 8.2A (Tc) 94W (Tc) Through Hole IPAK
Inventário:
12843055
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NDD60N550U1-1G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
8.2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
550mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
540 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
94W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
IPAK
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número do produto base
NDD60
Informação Adicional
Outros nomes
2156-NDD60N550U1-1G-ON
ONSONSNDD60N550U1-1G
Pacote padrão
75
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STU12N60M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
STU12N60M2-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.68
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
NÚMERO DA PEÇA
STU10NM60N
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2990
NÚMERO DA PEÇA
STU10NM60N-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.26
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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