NTMSD3P303R2G
Número do Produto do Fabricante:

NTMSD3P303R2G

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

NTMSD3P303R2G-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 30V 2.34A 8SOIC
Descrição Detalhada:
P-Channel 30 V 2.34A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventário:

12858272
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NTMSD3P303R2G Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
FETKY™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.34A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 3.05A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
750 pF @ 24 V
Recurso FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)
730mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número do produto base
NTMSD3

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
NTMSD3P303R2GOS
Pacote padrão
2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
CWDM305P TR13 PBFREE
FABRICANTE
Central Semiconductor Corp
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
CWDM305P TR13 PBFREE-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.09
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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