Número do Produto do Fabricante:
NTH4L040N120M3S
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
NTH4L040N120M3S-DG
Descrição:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 54A (Tc) 231W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Inventário:
333 Pcs Novo Original Em Estoque
12999546
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NTH4L040N120M3S Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
54A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
54mOhm @ 20A, 18V
vgs(th) (máx) @ id
4.4V @ 10mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1700 pF @ 800 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
231W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-4L
Pacote / Estojo
TO-247-4
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
488-NTH4L040N120M3S
Pacote padrão
450
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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