NP32N055SDE-E1-AZ
Número do Produto do Fabricante:

NP32N055SDE-E1-AZ

Product Overview

Fabricante:

Renesas

DiGi Electronics Número da Peça:

NP32N055SDE-E1-AZ-DG

Descrição:

NP32N055SDE-E1-AZ - MOS FIELD EF
Descrição Detalhada:
N-Channel 55 V 32A (Tc) 1.2W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)

Inventário:

4000 Pcs Novo Original Em Estoque
12999572
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NP32N055SDE-E1-AZ Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
55 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2000 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.2W (Ta), 66W (Tc)
Temperatura de operação
175°C
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252 (MP-3ZK)
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Informação Adicional

Outros nomes
2156-NP32N055SDE-E1-AZ
Pacote padrão
281

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
RoHS non-compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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