Número do Produto do Fabricante:
NTBG1000N170M1
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
NTBG1000N170M1-DG
Descrição:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Descrição Detalhada:
N-Channel 1700 V 4.3A (Tc) 51W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventário:
736 Pcs Novo Original Em Estoque
13255983
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
NTBG1000N170M1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1700 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.43Ohm @ 2A, 20V
vgs(th) (máx) @ id
4.3V @ 640µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -15V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
150 pF @ 1000 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
51W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
D2PAK-7
Pacote / Estojo
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
488-NTBG1000N170M1TR
488-NTBG1000N170M1DKR
488-NTBG1000N170M1CT
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
NTHL1000N170M1
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
NTMFWS1D5N08XT1G
MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
ISK018NE1LM7AULA1
ISK018NE1LM7AULA1 MOSFET
