Número do Produto do Fabricante:
NTHL1000N170M1
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
NTHL1000N170M1-DG
Descrição:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Descrição Detalhada:
N-Channel 1700 V 4.2A (Tc) 48W Through Hole TO-247-3
Inventário:
406 Pcs Novo Original Em Estoque
13255985
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NTHL1000N170M1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1700 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.43Ohm @ 2A, 20V
vgs(th) (máx) @ id
4.3V @ 640µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -15V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
150 pF @ 1000 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
48W
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-3
Pacote / Estojo
TO-247-3
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
488-NTHL1000N170M1
Pacote padrão
450
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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