NTBG040N120SC1
Número do Produto do Fabricante:

NTBG040N120SC1

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

NTBG040N120SC1-DG

Descrição:

SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 60A (Tc) 357W (Tc) Surface Mount D2PAK-7

Inventário:

705 Pcs Novo Original Em Estoque
12938460
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

NTBG040N120SC1 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
56mOhm @ 35A, 20V
vgs(th) (máx) @ id
4.3V @ 10mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
106 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -15V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1789 pF @ 800 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
357W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
D2PAK-7
Pacote / Estojo
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Número do produto base
NTBG040

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
NTBG040N120SC1
Fichas Técnicas
NTBG040N120SC1
Folha de Dados HTML
NTBG040N120SC1-DG

Informação Adicional

Outros nomes
488-NTBG040N120SC1DKR
488-NTBG040N120SC1CT
2156-NTBG040N120SC1-488
488-NTBG040N120SC1TR
Pacote padrão
800

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
G3R40MT12J
FABRICANTE
GeneSiC Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1509
NÚMERO DA PEÇA
G3R40MT12J-DG
PREÇO UNITÁRIO
16.54
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
NVBG040N120SC1
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1265
NÚMERO DA PEÇA
NVBG040N120SC1-DG
PREÇO UNITÁRIO
29.06
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produtos Relacionados
onsemi

MTP9N25E

N-CHANNEL POWER MOSFET

infineon-technologies

ISZ040N03L5ISATMA1

MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON

onsemi

MTW8N50E

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

SSU1N60BTU

N-CHANNEL POWER MOSFET