Número do Produto do Fabricante:
SSU1N60BTU
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
SSU1N60BTU-DG
Descrição:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 900mA (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventário:
25769 Pcs Novo Original Em Estoque
12938468
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SSU1N60BTU Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
900mA (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12Ohm @ 450mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
7.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
215 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
I-PAK
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
FAIFSCSSU1N60BTU
2156-SSU1N60BTU
Pacote padrão
2,219
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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