Número do Produto do Fabricante:
FQT1N60CTF-WS
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FQT1N60CTF-WS-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 200mA (Tc) 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Inventário:
12846485
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
FQT1N60CTF-WS Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
QFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
200mA (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.5Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
6.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
170 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.1W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-223-4
Pacote / Estojo
TO-261-4, TO-261AA
Número do produto base
FQT1N60
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
FQT1N60CTF-WSDKR
FQT1N60CTF_WSDKR-DG
FQT1N60CTF_WSTR
FQT1N60CTF-WSCT
FQT1N60CTF_WS
FQT1N60CTF_WSCT-DG
FQT1N60CTF_WSTR-DG
FQT1N60CTF_WSCT
FQT1N60CTF-WSTR
FQT1N60CTFWS
FQT1N60CTF_WSDKR
Pacote padrão
4,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
FDA20N50-F109
MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN
AOTF13N50
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3F
HUFA76407D3ST
MOSFET N-CH 60V 12A TO252AA
