Número do Produto do Fabricante:
FDMS1D4N03S
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FDMS1D4N03S-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 211A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventário:
12846493
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
FDMS1D4N03S Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
PowerTrench®, SyncFET™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
211A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.09mOhm @ 38A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
10250 pF @ 15 V
Recurso FET
Schottky Diode (Body)
Dissipação de energia (máx.)
74W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-PQFN (5x6)
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Número do produto base
FDMS1D4
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
FDMS1D4N03SCT
FDMS1D4N03SDKR
2156-FDMS1D4N03STR
2832-FDMS1D4N03STR
FDMS1D4N03STR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
CSD17559Q5
FABRICANTE
Texas Instruments
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1524
NÚMERO DA PEÇA
CSD17559Q5-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.04
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
AOB411L
MOSFET P-CH 60V 8A/78A TO263
BMS4007
MOSFET N-CH 75V 60A TO220ML
FQPF12N60C
MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
