Número do Produto do Fabricante:
FQN1N50CTA
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FQN1N50CTA-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 500 V 380mA (Tc) 890mW (Ta), 2.08W (Tc) Through Hole TO-92-3
Inventário:
3302 Pcs Novo Original Em Estoque
12846565
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FQN1N50CTA Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Cut Tape (CT)
Série
QFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
500 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
380mA (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 190mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
6.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
195 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
890mW (Ta), 2.08W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-92-3
Pacote / Estojo
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Número do produto base
FQN1N50
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
FQN1N50CTA-DG
FQN1N50CTACT
FQN1N50CTADKRINACTIVE
FQN1N50CTADKR
2156-FQN1N50CTA-OS
FQN1N50CTADKR-DG
FQN1N50CTATB
Pacote padrão
2,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STQ2HNK60ZR-AP
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
9835
NÚMERO DA PEÇA
STQ2HNK60ZR-AP-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.28
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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