Número do Produto do Fabricante:
FDP085N10A
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FDP085N10A-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 96A (Tc) 188W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventário:
12846572
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FDP085N10A Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
PowerTrench®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
96A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 96A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2695 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
188W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
FDP085
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TK34E10N1,S1X
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
5
NÚMERO DA PEÇA
TK34E10N1,S1X-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.53
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
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PREÇO UNITÁRIO
1.59
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
291
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PREÇO UNITÁRIO
1.44
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PREÇO UNITÁRIO
0.86
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