Número do Produto do Fabricante:

FQI11N40TU

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

FQI11N40TU-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 400V 11.4A I2PAK

Descrição Detalhada:

N-Channel 400 V 11.4A (Tc) 3.13W (Ta), 147W (Tc) Through Hole I2PAK

Inventário:

RFQ Online

12848201

Solicitar Orçamento

Quantidade
Mínimo 1

(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas

ENVIAR

FQI11N40TU Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

onsemi

Embalagem

-

Série

-

Status do produto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

400 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

11.4A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

480mOhm @ 5.7A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

5V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

35 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±30V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1400 pF @ 25 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

3.13W (Ta), 147W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote de dispositivos do fornecedor

I2PAK

Pacote / Estojo

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Número do produto base

FQI1

Folha de Dados & Documentos

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Pacote padrão

50

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produtos Relacionados

onsemi

FDP8860

MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3

infineon-technologies

BTS115ANKSA1

MOSFET N-CH 50V 15.5A TO220AB

onsemi

FQP18N20V2

MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3

onsemi

BS107G

MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3