BS107G

Número do Produto do Fabricante:

BS107G

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

BS107G-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3

Descrição Detalhada:

N-Channel 200 V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92 (TO-226)

Inventário:

RFQ Online

12848208

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BS107G Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

onsemi

Embalagem

-

Série

-

Status do produto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

200 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

250mA (Ta)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

2.6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14Ohm @ 200mA, 10V

vgs(th) (máx) @ id

3V @ 1mA

Vgs (máx.)

±20V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

60 pF @ 25 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

350mW (Ta)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote de dispositivos do fornecedor

TO-92 (TO-226)

Pacote / Estojo

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

Número do produto base

BS107

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes

BS107GOS

BS107G-DG

Pacote padrão

1,000

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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