Número do Produto do Fabricante:
FQAF8N80
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FQAF8N80-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 5.9A TO3PF
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 5.9A (Tc) 107W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventário:
12850481
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FQAF8N80 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
QFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
5.9A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 2.95A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2350 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
107W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3PF
Pacote / Estojo
TO-3P-3 Full Pack
Número do produto base
FQAF8
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Pacote padrão
360
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IRFPE50PBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
353
NÚMERO DA PEÇA
IRFPE50PBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.07
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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