Número do Produto do Fabricante:
FDFME3N311ZT
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FDFME3N311ZT-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 1.8A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (1.6x1.6)
Inventário:
12850488
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FDFME3N311ZT Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
PowerTrench®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
299mOhm @ 1.6A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
1.4 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
75 pF @ 15 V
Recurso FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)
1.4W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-MicroFET (1.6x1.6)
Pacote / Estojo
6-UFDFN Exposed Pad
Número do produto base
FDFME3
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
FDFME3N311ZT-DG
FDFME3N311ZTTR
FDFME3N311ZTCT
FDFME3N311ZTDKR
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SSM6H19NU,LF
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
54777
NÚMERO DA PEÇA
SSM6H19NU,LF-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.07
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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