Número do Produto do Fabricante:
FQA44N08
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FQA44N08-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 80V 49.8A TO3P
Descrição Detalhada:
N-Channel 80 V 49.8A (Tc) 163W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventário:
12926099
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FQA44N08 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
QFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
80 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
49.8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
34mOhm @ 24.9A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1430 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
163W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3P
Pacote / Estojo
TO-3P-3, SC-65-3
Número do produto base
FQA4
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
2SK1317-E
FABRICANTE
Renesas Electronics Corporation
QUANTIDADE DISPONÍVEL
5608
NÚMERO DA PEÇA
2SK1317-E-DG
PREÇO UNITÁRIO
3.29
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
IXTQ75N10P
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
3
NÚMERO DA PEÇA
IXTQ75N10P-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.44
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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