Número do Produto do Fabricante:
2SK1317-E
Product Overview
Fabricante:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
2SK1317-E-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P
Descrição Detalhada:
N-Channel 1500 V 2.5A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventário:
5608 Pcs Novo Original Em Estoque
12858018
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
peUx
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
2SK1317-E Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1500 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12Ohm @ 2A, 15V
vgs(th) (máx) @ id
-
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
990 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3P
Pacote / Estojo
TO-3P-3, SC-65-3
Número do produto base
2SK1317
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
-1161-2SK1317-E
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
NDB6060L
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
NVMFS6H800NT1G
MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN
NVB5860NT4G
MOSFET N-CH 60V 220A D2PAK-3
