Número do Produto do Fabricante:
FDZ3N513ZT
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FDZ3N513ZT-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 1.1A 4WLCSP
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 1.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-WLCSP (0.96x0.96)
Inventário:
12838288
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FDZ3N513ZT Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.1A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
3.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
462mOhm @ 300mA, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
1 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
+5.5V, -0.3V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
85 pF @ 15 V
Recurso FET
Schottky Diode (Body)
Dissipação de energia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
4-WLCSP (0.96x0.96)
Pacote / Estojo
4-UFBGA, WLCSP
Número do produto base
FDZ3N
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
FDZ3N513ZTCT
FDZ3N513ZTDKR
FDZ3N513ZTTR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SI8808DB-T2-E1
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
8727
NÚMERO DA PEÇA
SI8808DB-T2-E1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.11
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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