Número do Produto do Fabricante:
SI8808DB-T2-E1
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI8808DB-T2-E1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
Inventário:
8727 Pcs Novo Original Em Estoque
12912427
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SI8808DB-T2-E1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
900mV @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 8 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
330 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
4-Microfoot
Pacote / Estojo
4-UFBGA
Número do produto base
SI8808
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SI8808DBT2E1
SI8808DB-T2-E1CT
SI8808DB-T2-E1TR
SI8808DB-T2-E1DKR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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