Número do Produto do Fabricante:
FQP10N20
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FQP10N20-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 10A TO220-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 10A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventário:
12846582
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FQP10N20 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
QFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
670 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
87W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
FQP1
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
RCX100N25
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
429
NÚMERO DA PEÇA
RCX100N25-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.86
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
NÚMERO DA PEÇA
IRF630
FABRICANTE
Harris Corporation
QUANTIDADE DISPONÍVEL
11535
NÚMERO DA PEÇA
IRF630-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.80
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
IRF630PBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
5461
NÚMERO DA PEÇA
IRF630PBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.51
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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Certificação DIGI
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