Número do Produto do Fabricante:

FDD6685-G

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

FDD6685-G-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6

Descrição Detalhada:

P-Channel 30 V 11A (Ta), 40A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-252AA

Inventário:

RFQ Online

12997410

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FDD6685-G Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

onsemi

Embalagem

-

Série

PowerTrench®

Status do produto

Obsolete

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

30 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

11A (Ta), 40A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 11A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

3V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

24 nC @ 5 V

Vgs (máx.)

±25V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1715 pF @ 15 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

1.6W (Ta)

Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote de dispositivos do fornecedor

TO-252AA

Pacote / Estojo

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Informação Adicional

Outros nomes

488-FDD6685-GTR

Pacote padrão

3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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