Número do Produto do Fabricante:
RF4G100BGTCR
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
RF4G100BGTCR-DG
Descrição:
NCH 40V 10A, HUML2020L8, POWER M
Descrição Detalhada:
N-Channel 40 V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount DFN2020-8S
Inventário:
2790 Pcs Novo Original Em Estoque
12997414
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RF4G100BGTCR Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.2mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
10.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
530 pF @ 20 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2W (Ta)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
DFN2020-8S
Pacote / Estojo
8-PowerUDFN
Número do produto base
RF4G100
Informação Adicional
Outros nomes
846-RF4G100BGTCRDKR
846-RF4G100BGTCRTR
846-RF4G100BGTCRCT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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