Número do Produto do Fabricante:
FDB10AN06A0
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FDB10AN06A0-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO263AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 12A (Ta), 75A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventário:
12847182
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FDB10AN06A0 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
PowerTrench®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12A (Ta), 75A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1840 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
135W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
FDB10
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPB081N06L3GATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
5151
NÚMERO DA PEÇA
IPB081N06L3GATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.57
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
22314
NÚMERO DA PEÇA
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PREÇO UNITÁRIO
0.56
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
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FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2365
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PREÇO UNITÁRIO
0.61
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FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTIDADE DISPONÍVEL
626
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PREÇO UNITÁRIO
0.74
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
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PREÇO UNITÁRIO
0.99
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