Número do Produto do Fabricante:
IPB081N06L3GATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPB081N06L3GATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventário:
5151 Pcs Novo Original Em Estoque
12803619
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IPB081N06L3GATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.1mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.2V @ 34µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4900 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
79W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO263-3
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
IPB081
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IPB081N06L3 GDKR-DG
IPB081N06L3GATMA1DKR
IPB081N06L3 GDKR
IPB081N06L3G
SP000398076
IPB081N06L3GATMA1CT
IPB081N06L3 GCT-DG
IPB081N06L3 GTR-DG
IPB081N06L3GATMA1TR
IPB081N06L3 G-DG
IPB081N06L3 GCT
IPB081N06L3 G
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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