Número do Produto do Fabricante:
FDA16N50-F109
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FDA16N50-F109-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PN
Descrição Detalhada:
N-Channel 500 V 16.5A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventário:
283 Pcs Novo Original Em Estoque
12845674
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FDA16N50-F109 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tube
Série
UniFET™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
500 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
16.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 8.3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1945 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
205W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3PN
Pacote / Estojo
TO-3P-3, SC-65-3
Número do produto base
FDA16N50
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
FDA16N50-F109OS
FDA16N50_F109-DG
FDA16N50-F109-DG
FDA16N50_F109
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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