Número do Produto do Fabricante:
FCH110N65F-F155
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FCH110N65F-F155-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventário:
417 Pcs Novo Original Em Estoque
12845677
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ENVIAR
FCH110N65F-F155 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tube
Série
FRFET®, SuperFET® II
Status do produto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 3.5mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4895 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
357W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-3
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
FCH110
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
FCH110N65F_F155-DG
FCH110N65F_F155
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IXFX48N60Q3
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
38
NÚMERO DA PEÇA
IXFX48N60Q3-DG
PREÇO UNITÁRIO
17.23
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198
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PREÇO UNITÁRIO
5.72
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2.87
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0
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6.08
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