Número do Produto do Fabricante:
FCPF190N65FL1
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FCPF190N65FL1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220F
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 20.6A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventário:
12838551
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FCPF190N65FL1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
SuperFET® II
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
20.6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3055 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
39W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220F-3
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
FCPF190
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
ONSONSFCPF190N65FL1
2156-FCPF190N65FL1-OS
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
R6024ENX
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
464
NÚMERO DA PEÇA
R6024ENX-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.57
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
971
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PREÇO UNITÁRIO
2.01
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
255
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PREÇO UNITÁRIO
1.29
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
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PREÇO UNITÁRIO
2.22
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PREÇO UNITÁRIO
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