Número do Produto do Fabricante:
FCPF190N65FL1-F154
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FCPF190N65FL1-F154-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220F-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 20.6A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventário:
971 Pcs Novo Original Em Estoque
12955127
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FCPF190N65FL1-F154 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tube
Série
FRFET®, SuperFET® II
Status do produto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 2mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3055 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
39W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220F-3
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
FCPF190
Informação Adicional
Outros nomes
488-FCPF190N65FL1-F154
2832-FCPF190N65FL1-F154
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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