Número do Produto do Fabricante:
RF1S50N06
Product Overview
Fabricante:
Harris Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
RF1S50N06-DG
Descrição:
50A, 60V, 0.022 OHM, N-CHANNEL
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 131W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Inventário:
2746 Pcs Novo Original Em Estoque
12955141
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RF1S50N06 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2020 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
131W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
I2PAK (TO-262)
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
2156-RF1S50N06
HARHARRF1S50N06
Pacote padrão
290
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Certificação DIGI
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