Número do Produto do Fabricante:
FCH170N60
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FCH170N60-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventário:
448 Pcs Novo Original Em Estoque
12849762
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FCH170N60 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tube
Série
SuperFET® II
Status do produto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2860 pF @ 380 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
227W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-3
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
FCH170
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
2166-FCH170N60-488
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SIHG22N60AE-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
SIHG22N60AE-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.64
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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FABRICANTE
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
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PREÇO UNITÁRIO
11.84
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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IXFH36N60P
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
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PREÇO UNITÁRIO
6.71
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
600
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PREÇO UNITÁRIO
3.02
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
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PREÇO UNITÁRIO
21.15
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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