Número do Produto do Fabricante:
R6022YNZ4C13
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
R6022YNZ4C13-DG
Descrição:
NCH 600V 22A, TO-247, POWER MOSF
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-247G
Inventário:
600 Pcs Novo Original Em Estoque
13001130
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R6022YNZ4C13 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 6.5A, 12V
vgs(th) (máx) @ id
6V @ 1.8mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1400 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
205W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247G
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
R6022
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
846-R6022YNZ4C13
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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